本文作者:admin

协昌科技(301418.SZ):目前已搭建沟槽型MOSFET、中低压SGT MOSFET、高压超结MOSFET及IGBT四个研发平台

admin 2023-08-25 9
协昌科技(301418.SZ):目前已搭建沟槽型MOSFET、中低压SGT MOSFET、高压超结MOSFET及IGBT四个研发平台摘要:   炒股就看金麒麟分析师研报,权威,专业,及时,全面,助您挖掘潜力主题机会!来源:格隆汇格隆汇8月25日丨有投资者向协昌科技(301418.SZ)提问,“请问贵司有研发芯片吗?...

  炒股就看金麒麟分析师研报,权威,专业,及时,全面,助您挖掘潜力主题机会!

协昌科技(301418.SZ):目前已搭建沟槽型MOSFET、中低压SGT MOSFET、高压超结MOSFET及IGBT四个研发平台

来源:格隆汇

格隆汇8月25日丨有投资者向协昌科技(301418.SZ)提问,“请问贵司有研发芯片吗?”

协昌科技回复称,公司全资子公司凯思半导体专利从事功率芯片产品的研发和销售,公司目前已经搭建了沟槽型 MOSFET、中低压SGT MOSFET、高压超结 MOSFET 及 IGBT 四个研发平台,拥有了较为完整的产品线布局。

阅读
分享